三星32Gb DDR5 DRAM采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术

　　9月2日讯：三星宣布采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术，开发出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是 16Gb 内存模组的两倍。

　　三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 纳米级 32Gb 内存的基础上，三星可以研发出实现 1TB 内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量 DRAM 内存日益增长的需求。

　　IT 之家附三星 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 产品介绍如下：

　　通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。

　　以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。

　　全新 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 计划于今年年底开始量产。